混合集成电路封装_福英达锡膏
混合集成电路封装_福英达锡膏
混合集成电路是通过将裸芯片直接固定到基板并与基板实现互连结构而形成的高组装密度电路。混合集成电路可以是将两种或多种元件封装到一起形成微电子电路，例如将一个集成电路和一个无源电子元件封装到一起，并安装在PCB上。制作混合集成电路是一个较为简单的程序，大致步骤包括将IC和无源元件组装到同一块基板上，然后再将他们用塑料等材料封装起来。将元件组装到同一块基板上可以减少焊点数量，并且减少原件间距和电流路径。
图1. 混合集成电路。
混合集成电路可以分为两大类，一种是薄膜混合集成电路，另一种是厚膜混合集成电路。薄膜混合集成电路的基板材料可以选择玻璃或陶瓷，焊接后能带来更好的散热性能。基板上预制的互连导线和焊盘一般是通过物理/化学气相沉积或溅射金属薄膜所制成，然后通过光刻工艺对其蚀刻出特定图案。气相沉积通常采取闪蒸将金属物质沉积在基板上。溅射法通过可以达到很高的薄膜沉积率并且不需要高温处理。此外薄膜混合集成电路导线宽度和间距很小，通常为3–5mils。
厚膜混合集成电路也选择陶瓷材料例如氧化铝，氮化铝和氧化铍作为互连基板。不同的是厚膜混合集成电路采用丝网印刷技术在基板上涂覆锡膏等导电焊料形成较厚的膜。需要厚膜有良好的导电性，兼容性和黏着力。厚膜混合集成电路的导线宽度和间距很小。很多厂家会选择10-20mils的导线。相比更细的导线，稍粗点的导线能够提高元件产量。并且厚膜混合集成电路的比薄膜混合集成电路有着更好的成本优势。
多芯片模组(MCM)
MCM是混合集成电路技术发展的一个扩展产物。混合集成技术对封装的密度的提升造就了MCM的发展。这意味着MCM的基板上会含有更多的集成电路芯片。MCM的种类有MCM-L (叠层), MCM-C (共烧陶瓷)和MCM-D (淀积)。MCM-基板可以是刚性，柔性或刚性柔性混合。刚性MCM-L基板通常由环氧基聚合物树脂电介质制成，并用玻璃纤维加固。MCM-L封装技术是其中最低密度的一种，自然而然制造的成本也最低。值得注意的是MCM-L和板上芯片封装技术(COB)非常相似。MCM-C是以共烧陶瓷混合集成电路技术为基础而研发的封装模组。陶瓷基板有高温共烧和低温共烧两种。
图2. 一种MCM结构。
深圳市福英达为客户提供优质的超微锡膏产品，锡膏产品能用做集成电路封装导电焊料。其中锡铋银锡膏产品熔点温度能低至139℃，适用于低温焊接的场景。福英达还可提供熔点达到280℃的金锡锡膏，满足高温焊接需求。此外福英达还有其他类型不同温度的锡膏，欢迎了解。
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